סמסונג דיווחה על הכונן החדש שלה שיעשה שימוש ב- pcie 4.0 מה שיביא את הכונן שלהם למהיריות גבוהות במיוחד גם בכתיבה וגם בקריאה.
הכונן ישתמש בשיטת 3D TLC השבבים יכוסו במשטחי ניקל לקירור פאסיבי.
פעם ראשונה שיהיה קירור פאסיבי בכונן NVME בילד אין.
הכונן יגיע בנפחים 250GB , 500GB , 1TB בהתאמה.
נתונים טכניים
1TB – יגיע למהירות 7000MB/s בקריאה ו-5000MB/s בכתיבה. בנפח זה ה-TBW יהיה 600TB יגיע ל-1000k IOPS בקריאה ו-1000k IOPS בכתיבה. תצרוכת חשמל בממוצע 6.2W
500GB – יגיע למהירות 6900MB/s בקריאה ו-5000MB/s בכתיבה. בנפח זה ה-TBW יהיה 300TB יגיע ל-800k IOPS בקריאה ו-1000k IOPS בכתיבה. תצרוכת חשמל בממוצע 5.9W
250GB – יגיע למהירות 6400MB/s בקריאה ו-2700MB/s בכתיבה. בנפח זה ה-TBW יהיה 150TB יגיע ל-500k IOPS בקריאה ו-600k IOPS בכתיבה. תצרוכת חשמל בממוצע 5.9W
הכונן יעבוד במהירות PCIE 4.0 במעבדים כדוגמת:
AMD-X570
AMD-B550
כמובן שהלוח צריך לתמוך ב-PCIE דור 4 ובמידה והוא לא הכונן יודע לעבוד בתאימות לאחור ויתפקד גם ב- PCIE 3.0 c מה שיגרום לכונן לעבוד במהירוית לא מקסימליות.
מחירים טרם פורסמו וגם לא מועד השקת הכונן באופו רשמ
